El Control de las Descargas Electrostáticas en la industria Electrónica, Microelectrónica, Automotriz, Telecomunicaciones y Medica Vs. Los desafíos de la Evolución Tecnológica

Por: Roberto Martínez Santana

 Los dispositivos Ultra sensibles ESDS denominados clase 0 (sobre todo aquellos sensibles a menos de 100V) se encuentran apareciendo en muchas de las aplicaciones electrónicas, y con ellos vienen nuevos retos y riesgos en el control de la ESD. Además, se requieren cambios específicos necesarios en la protección confiable para dispositivos sensibles entre 20 y 100V.

 Hoy en día, la mayoría de los componentes semiconductores utilizados para diferentes aplicaciones, son fabricados mediante  la tecnología CMOS  y la escala utilizada actualmente es de  90-nm.

 Además se su reducido tamaño @ (112 mm2 ), tienen una gran cantidad de componentes internos (125 millones de transistores). El tamaño del GATE en estos dispositivos es @ de 50 nm o menor.   Aquí se muestran algunos ejemplos de esta tecnología:

Diferencia en tamaño entre el Gate y el virus de la influenza
 
Por lo tanto, es imposible que un micro chip fabricado bajo esta tecnología sea inmune a una Descarga Electrostática ante los cambios turbulentos de las nuevas tecnologías, incluso es difícil preverlos.
No todo está perdido si se tiene la capacidad de adaptarse, empezando por un cambio de actitud, en los cuidados adecuados en las áreas de ensamble, pruebas, empaque  y envío, en el Control de las Descargas Electrostáticas.

 MEDIDAS BASICAS DE CONTROL ESD

1. Inmunidad ESD en el diseño del producto. An electrostatic protected area, or an EPA, is an area in which ESD-sensitive devices are going to be handled.

2. Establecer un programa de control de ESD.

3. Identificación de las áreas protegidas EPA. The ESD control program must be stable to begin with before ESD immunity can be designed into the product.

4.- Aterrizar todo material conductor o disipativo, incluyendo al personal.

5. Reducción de las fuentes de generación de estática.

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